Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R75MT12K, SiC, 1200 В, 29 А, TO247-4 (3 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM153308
Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R75MT12K, SiC, 1200 В, 29 А, TO247-4 (3 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R75MT12K — это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) с технологией G3R™. В комплекте поставляется 3 единицы в корпусе TO247-4 с выводом Кельвина.
- Технология SiC и G3R™
- Напряжение сток-исток 1,2 кВ
- Ток стока 29 А, импульсный до 80 А
- Сопротивление в состоянии проводимости 75 мОм
- Корпус TO247-4 с выводом Кельвина
- Комплект из 3 транзисторов
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 29 А.
Технические характеристики
Сопротивление в состоянии проводимости составляет 75 мОм.
Импульсная мощность
Прибор выдерживает импульсный ток стока до 80 А и имеет рассеиваемую мощность 207 Вт.
Тип монтажа
Компонент предназначен для установки на плату методом THT (сквозь отверстия). Корпус TO247-4 с выводом Кельвина.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 207 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Максимально допустимый ток стока | 29 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Производитель | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | G3R™, SiC |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴