Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G370P10K, -100В, -34А, TO252 (набор 20 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM153303
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G370P10K, -100В, -34А, TO252 (набор 20 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G370P10K в корпусе TO252 для SMD-монтажа. Комплект состоит из 20 единиц, с максимальной рассеиваемой мощностью 94 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: -100 В
- Ток стока: -34 А
- Рассеиваемая мощность: 94 Вт
- Корпус: TO252 для SMD-монтажа
- Комплектация: 20 шт.
Электрические характеристики
Транзистор G370P10K — это униполярный P-MOSFET с каналом обогащения и технологией Trench. Максимальное напряжение сток-исток составляет -100 В, а ток стока — -34 А. Рассеиваемая мощность равна 94 Вт, заряд затвора — 98 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO252 для SMD-монтажа. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 94 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴