Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06M, P-MOSFET, TO263, 105 Вт — набор 30 шт.
2 540 ₴
- В наличии
- Код: TM153266
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06M, P-MOSFET, TO263, 105 Вт — набор 30 шт.В наличии
2 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06M в корпусе TO263. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальную мощность рассеивания 105 Вт.
- Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
- Корпус: TO263
- Тип монтажа: Поверхностный
- Максимальная мощность рассеивания: 105 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа P. Максимальная мощность рассеивания составляет 105 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В.
Конструкция и монтаж
Изделие выполнено в корпусе TO263, что предполагает поверхностный монтаж (SMD). Технология изготовления — Trench. Поляризация транзистора — униполярная.
Комплектация
В комплекте поставляется 30 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 105 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 2 540 ₴