Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT7N10LTF, 100В, 1,36А, SOT223 (набор 30 шт.)
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM153159
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT7N10LTF, 100В, 1,36А, SOT223 (набор 30 шт.)В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT7N10LTF — это униполярный полевой транзистор с каналом типа N в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 1,36 А
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: SOT223 (монтаж SMD)
- Количество в наборе: 30 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и максимальный ток стока 1,36 А. Рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 0,38 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток 20 В
Технология и монтаж
Устройство изготовлено по технологии QFET®. Корпус SOT223 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке находится 30 транзисторов ONSEMI FQT7N10LTF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.36 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴