Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB55N10TM, 100 В, 38,9 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB55N10TM — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение до 100 В и ток до 38,9 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе D2PAK для монтажа на печатные платы.

• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 38,9 А
• Рассеиваемая мощность: 155 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 26 мОм
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Набор: 10 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор выдерживает напряжение сток-исток до 100 В и ток стока до 38,9 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 155 Вт.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 26 мОм.

Технология QFET® и монтаж

Компонент изготовлен по технологии QFET®. Корпус D2PAK и тип монтажа SMD позволяют устанавливать компонент на поверхность платы. Заряд затвора составляет 98 нКл.