Транзистор ON Semiconductor FJP13009TU, NPN, 400 В, 12 А, 100 Вт, TO220AB (набор 10 шт.)
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM153110
Транзистор ON Semiconductor FJP13009TU, NPN, 400 В, 12 А, 100 Вт, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Биполярный транзистор ON Semiconductor FJP13009TU типа NPN в корпусе TO220AB. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 400 В, максимальный ток коллектора — 12 А. Пакет содержит 10 единиц.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 12 А
- Максимальная мощность рассеивания: 100 Вт
- Граничная частота передачи: 4 МГц
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 400 В и ток коллектора 12 А. Граничная частота передачи составляет 4 МГц. Максимальная мощность рассеивания — 100 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT).
Комплектация
В наборе поставляется 10 транзисторов FJP13009TU.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 100 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 400 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 12 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 4 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴