
Транзистор IGBT ONSEMI FGD5T120SH, 1,2 кВ, 5 А, DPAK (набор 10 шт.)
1 900 ₴
- В наличии
- Код: TM153079
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор ONSEMI FGD5T120SH в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 штук, предназначенных для систем зажигания.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1,2 кВ
- Ток коллектора: 5 А (12,5 А в импульсе)
- Корпус: DPAK (монтаж SMD)
- Свойство: Logic Level
- Комплектация: 10 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1,2 кВ и постоянный ток коллектора 5 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 12,5 А.
Мощность и управление
Рассеиваемая мощность составляет 28 Вт. Компонент имеет свойство «logic level». Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±25 В. Компонент имеет версию ESD.
Корпус и комплектация
Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 транзисторов. Применение: системы зажигания.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 28 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 12.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 1 900 ₴
