Транзистор IGBT ONSEMI FGD3245G2-F085, 450 В, 23 А, DPAK, 10 шт.

Транзистор IGBT производства ONSEMI, модель FGD3245G2-F085. Устройство имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 450 В и ток коллектора 23 А. Корпус DPAK обеспечивает поверхностный монтаж.

• Тип транзистора: IGBT (полевой)
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 23 А
• Максимальная мощность рассеивания: 150 Вт
• Корпус: DPAK, поверхностный монтаж
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимальная мощность рассеивания составляет 150 Вт. Напряжение коллектор-эмиттер ограничено значением 450 В, а максимальный ток коллектора — 23 А. Заряд затвора равен 23 нКл, напряжение затвор-эмиттер — ±10 В.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа. Версия устройства обозначена как ESD. Тип транзистора — полевой (IGBT).

Дополнительные характеристики и применение

Транзистор имеет свойства «logic level». Применение: системы зажигания. В комплект входит 10 шт. транзисторов.