Транзистор IGBT ONSEMI FGB40T65SPD-F085, 650 В, 40 А, D2PAK, логический уровень (5 шт.)

IGBT-транзистор ONSEMI FGB40T65SPD-F085 в корпусе D2PAK с защитой от электростатического разряда (ESD). Комплект состоит из 5 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).

• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Ток коллектора: 40 А (импульсный до 120 А)
• Мощность рассеивания: 134 Вт
• Корпус D2PAK, монтаж SMD
• Логический уровень управления (logic level)
• Комплект: 5 шт.

Мощность и ток

Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В и постоянным током коллектора 40 А. В импульсном режиме ток может достигать 120 А, что указывает на способность работать в импульсном режиме. Мощность рассеивания составляет 134 Вт.

Управление логическим уровнем

Устройство имеет свойство «логический уровень» (logic level), что упрощает интеграцию в схемы управления с логическим уровнем сигнала. Заряд затвора равен 36 нКл, что влияет на скорость переключения.

Назначение

Согласно данным производителя, транзистор применяется в системах зажигания. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, что соответствует стандартам управления для данного класса приборов.