Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDV303N, SOT23, 25 В, 0,68 А (набор 80 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDV303N — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в компактном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 80 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
• Ток стока: 0,68 А
• Мощность рассеивания: 0,35 Вт
• Вход логического уровня (logic level)
• Количество в комплекте: 80 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 25 В и ток стока 0,68 А. Мощность рассеивания составляет 0,35 Вт. Эти параметры определяют рабочий диапазон компонента в электронных схемах.

Особенности управления

Устройство имеет вход логического уровня (logic level). Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±8 В.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе SOT23. Монтаж — SMD (поверхностный).