Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8896, 30V, 15A, SO8 (набор 20 шт.)
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM153036
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8896, 30V, 15A, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8896 — это полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию PowerTrench®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Постоянный ток стока: 15 А (импульсный до 110 А)
- Сопротивление в открытом состоянии: 6 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 20 штук
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока 15 А. В импульсном режиме ток стока может достигать 110 А.
Технические характеристики
Транзистор является униполярным устройством типа N-MOSFET с каналом обогащения. Производитель использует технологию PowerTrench®. Мощность рассеивания составляет 2,5 Вт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 15 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴