Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6679AZ, -30В, -13А, SO8 (набор 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6679AZ — это униполярный компонент с каналом обогащения, P-MOSFET транзистор. Модель выполнена в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию PowerTrench®.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: до -13 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 14,8 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Комплектация: набор из 20 штук

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -30 В и выдерживает ток стока до -13 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2,5 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±25 В.

Низкое сопротивление и скорость переключения

Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 14,8 мОм. Общий заряд затвора составляет 96 нКл.

Удобство монтажа и комплектация

Компонент изготовлен в корпусе SO8 с технологией монтажа SMD. Товар поставляется набором из 20 штук. Использование технологии PowerTrench®.