Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF51N25, 250В, 30А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF51N25 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220FP. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 250 В и ток стока 30 А при мощности рассеивания 38 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 В
• Максимально допустимый ток стока: 30 А
• Максимальная мощность рассеивания: 38 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж выводной
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 250 В и максимально допустимый ток стока 30 А. Напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 48 мОм, а максимальная мощность рассеивания — 38 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии UltraFET® и имеет корпус TO220FP. Тип монтажа — выводной (THT). Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом.

Технические особенности и комплектация

Компонент имеет заряд затвора 70 нКл. В наборе поставляется 10 шт. транзисторов.