Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF18N50, 500 В, 10,8 А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF18N50 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220FP. В комплекте 10 штук. Максимальное напряжение сток-исток составляет 500 В, а ток стока — 10,8 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 10,8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 38,5 Вт
• Корпус: TO220FP
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и напряжение затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока равен 10,8 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 265 мОм, что определяет потери в проводящем состоянии.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 38,5 Вт. Устройство изготовлено по технологии UniFET™. Корпус TO220FP обеспечивает штыревой тип монтажа.

Комплектация

В наборе 10 транзисторов FDPF18N50.