Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP33N25, 250 В, 20,4 А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP33N25 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. В комплект поставки входят 10 штук в корпусе TO220AB с типом монтажа THT (выводной).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 250 В
• Постоянный ток стока: 20,4 А
• Импульсный ток стока: 132 А
• Рассеиваемая мощность: 235 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 94 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 250 В и постоянный ток стока 20,4 А. Импульсный ток может достигать 132 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 235 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 94 мОм.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе TO220AB. Монтаж осуществляется методом THT (сквозной монтаж), что предполагает установку в отверстия печатной платы.

Комплектация

Упаковка содержит 10 транзисторов FDP33N25.

Полярность и тип канала

Прибор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения (enhancement).