Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS3660S, PQFN8, 30 В, 30 А (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS3660S — это полевой транзистор с двойным каналом в корпусе PQFN8. Предназначен для поверхностного монтажа, работает с напряжением 30 В и током до 30 А или 60 А в зависимости от конфигурации.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 30 А / 60 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 11 мОм / 2,6 мОм
• Корпус: PQFN8
• Тип монтажа: поверхностный
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 30 В и напряжение затвор-исток ±20 В. Ток стока составляет 30 А или 60 А, а сопротивление в открытом состоянии — 11 мОм или 2,6 мОм. Рассеиваемая мощность — 2,2 Вт или 2,5 Вт. Заряд затвора — 29 нКл или 87 нКл.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PQFN8 для поверхностного монтажа (SMD). Канал обогащенного типа, полярность — униполярная.

Комплектация

В наборе 10 транзисторов ONSEMI FDMS3660S. Код производителя: FDMS3660S.