Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMC86139P, WDFN8, -100В, -15А (комплект 10 шт.)
2 370 ₴
- В наличии
- Код: TM153027
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMC86139P, WDFN8, -100В, -15А (комплект 10 шт.)В наличии
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMC86139P — униполярный компонент в корпусе WDFN8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 единиц, с максимальной рассеиваемой мощностью 40 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -100 В
- Ток стока: -15 А
- Мощность рассеивания: 40 Вт
- Корпус: WDFN8, монтаж SMD
- Комплектация: 10 шт.
Тип и полярность транзистора
Компонент является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Такая конфигурация определяет специфику управления и подключения в электронных схемах.
Напряжение и ток
Максимальное напряжение сток-исток составляет -100 В, а допустимый ток стока — -15 А. Напряжение затвор-исток ограничено значением ±25 В.
Мощность и сопротивление в проводимости
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 40 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 104 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | WDFN8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 370 ₴