Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMC7660, 30 В, 40 А, PQFN8 (набор 30 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM153026
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMC7660, 30 В, 40 А, PQFN8 (набор 30 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMC7660 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Компонент выполнен в корпусе PQFN8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию PowerTrench®.
- Ток стока 40 А
- Напряжение сток-исток 30 В
- Сопротивление в открытом состоянии 3,3 мОм
- Корпус PQFN8, монтаж SMD
- Технология PowerTrench®
- Комплект: 30 шт.
Коммутационные характеристики
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 40 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 3,3 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а суммарный заряд затвора равен 86 нКл.
Тепловые характеристики
Максимальная рассеиваемая мощность компонента составляет 41 Вт. Корпус PQFN8 и тип монтажа SMD.
Корпус и монтаж SMD
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 41 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PQFN8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴