Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD850N10L, 100В, 11,1А, DPAK (набор 20 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM153021
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD850N10L, 100В, 11,1А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD850N10L — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Комплект состоит из 20 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 11,1 А
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 75 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 11,1 А. Рассеиваемая мощность составляет 50 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 75 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке поставляется 20 транзисторов ONSEMI FDD850N10L.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 50 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴