Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8451, 40В, 28А, DPAK (набор 30 шт.)

2 290 ₴

  • В наличии
  • Код: TM153020
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8451, 40В, 28А, DPAK (набор 30 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8451, 40В, 28А, DPAK (набор 30 шт.)В наличии
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8451 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию PowerTrench®. В комплекте поставляется 30 единиц.

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Максимальное напряжение сток-исток: 40 В
  • Ток стока: 28 А
  • Рассеиваемая мощность: 30 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 41 мОм
  • Корпус: DPAK, монтаж SMD
  • Комплектация: 30 шт.

Мощность и ток

Компонент работает с током стока 28 А и выдерживает напряжение сток-исток 40 В. Рассеиваемая мощность составляет 30 Вт, что определяет тепловой режим работы. Допустимое напряжение затвор-исток равно ±20 В.

Сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 41 мОм. Этот параметр влияет на потери энергии при прохождении тока через транзистор. Низкое сопротивление способствует уменьшению нагрева компонента под нагрузкой.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания30 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток40 В
Максимально допустимый ток стока28 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)41 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Гарантийный срок12 мес
Количество в комплекте30 шт.
КорпусDPAK
ТехнологияPowerTrench®
Информация для заказа
  • Цена: 2 290 ₴