Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD7N20TM, 200 В, 3 А, DPAK (набор 20 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM153019
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD7N20TM, 200 В, 3 А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD7N20TM — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель имеет максимальное напряжение «сток-исток» 200 В и ток стока 3 А. Товар поставляется набором из 20 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 3 А
- Рассеиваемая мощность: 43 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 690 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж: поверхностный
- Комплектация: набор из 20 транзисторов
Напряжение и ток
Максимальное напряжение «сток-исток» составляет 200 В, а постоянный ток стока — 3 А. Эти параметры определяют электрические пределы работы транзистора в схеме.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 43 Вт. Максимальное напряжение «затвор-исток» составляет 30 В. В состоянии проводимости сопротивление канала (Rds(on)) равно 690 мОм.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 43 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 690 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴