Полевой транзистор ONSEMI FDD6637 в корпусе DPAK. Устройство имеет максимальную мощность рассеивания 57 Вт и сопротивление в открытом состоянии 19 мОм.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: DPAK, поверхностный монтаж
- Максимальная мощность рассеивания: 57 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 19 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 В
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры и канал
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом p-типа. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 19 мОм.
Конструкция и технология
Компонент выполнен для поверхностного монтажа в корпусе DPAK. Технология изготовления: PowerTrench®.
Комплектация и заряд
В набор поставляется 10 шт. транзисторов. Заряд затвора составляет 35 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 57 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 1 880 ₴

