Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC655BN, 30V, 6.3A, SuperSOT-6 (набор 30 шт.)
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM153015
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC655BN, 30V, 6.3A, SuperSOT-6 (набор 30 шт.)В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC655BN — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в компактном корпусе SuperSOT-6 с технологией PowerTrench®. Комплект поставки включает 30 единиц компонентов.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 6,3 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 36 мОм
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Технология: PowerTrench®
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 30 В и выдерживает постоянный ток стока 6,3 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 36 мОм. Общий заряд затвора составляет 13 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе SuperSOT-6, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Используется технология PowerTrench®.
Комплектация
Внимание: товар продается набором. В упаковке содержится 30 транзисторов ONSEMI FDC655BN. Рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴