Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB070AN06A0, 60 В, 80 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 720 ₴
- В наличии
- Код: TM153013
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB070AN06A0, 60 В, 80 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB070AN06A0. Максимальный ток стока: 80 А. В комплекте 10 шт.
- Максимальный ток стока: 80 А
- Напряжение сток-исток 60 В
- Рассеивание мощности 175 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 15 мОм
- Корпус: D2PAK; Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
- Набор из 10 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на постоянный ток 80 А и рассеивание мощности 175 Вт.
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление канала составляет 15 мОм,
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией монтажа SMD.
Напряжение затвор-истокДопустимое напряжение затвор-исток ±20 В
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 175 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 15 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 720 ₴