
Транзистор ONSEMI FDA38N30 N-MOSFET 300V 22A TO3PN (набор 10 шт.)
2 880 ₴
- В наличии
- Код: TM153012
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI FDA38N30 — это полевой N-MOSFET транзистор в корпусе TO3PN. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 300 В и ток стока 22 А. В комплекте поставляется 10 единиц.
- Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 В
- Максимально допустимый ток стока: 22 А
- Максимальная мощность рассеивания: 312 Вт
- Корпус: TO3PN
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 300 В и напряжением затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 22 А, а импульсный ток может достигать 150 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 85 мОм.
Мощность и технология
Максимальная мощность рассеивания транзистора — 312 Вт. Устройство изготовлено по технологии DMOS, UniFET™. Канал транзистора является обогащаемым, а полярность — униполярной.
Комплектация
В наборе находится 10 транзисторов ONSEMI FDA38N30. Монтаж осуществляется вставным способом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 312 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 300 В |
| Максимально допустимый ток стока | 22 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO3PN |
| Технология | DMOS, UniFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 880 ₴
