Транзистор ONSEMI FCPF11N60F, N-MOSFET, 600 В, 7 А, SJ-MOSFET, TO220FP, 5 шт.
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM153010
Транзистор ONSEMI FCPF11N60F, N-MOSFET, 600 В, 7 А, SJ-MOSFET, TO220FP, 5 шт.В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 5 транзисторов ONSEMI FCPF11N60F — это N-MOSFET компоненты технологии SJ-MOSFET в корпусе TO220FP. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а максимальный ток стока — 7 А.
- Тип: N-MOSFET, технология SJ-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 7 А
- Максимальная мощность рассеивания: 36 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж штырьковый
- Количество в наборе: 5 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 36 Вт, что определяет тепловой режим работы. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а ток стока — 7 А.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Монтаж осуществляется штырьковым методом (через отверстия).
Импульсный ток и заряд затвора
Максимальный импульсный ток стока (Idm) составляет 33 А. Заряд затвора равен 52 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | SJ-MOSFET |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴