Транзистор ONSEMI FCPF11N60 N-MOSFET 650В 11А TO220FP (набор 10 шт.)
3 090 ₴
- В наличии
- Код: TM153009
Транзистор ONSEMI FCPF11N60 — это полевой N-MOSFET транзистор с технологией SuperFET®, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 11 А. Прибор выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа и имеет максимальную мощность рассеивания 36 Вт.
- Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
- Максимально допустимый ток стока: 11 А
- Максимальная мощность рассеивания: 36 Вт
- Корпус: TO220FP, выводной монтаж
- Сопротивление в открытом состоянии: 380 мОм
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 650 В и максимально допустимым напряжением затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 11 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 380 мОм. Заряд затвора составляет 52 нКл.
Конструкция и монтаж
Прибор изготовлен в корпусе TO220FP, что обеспечивает выводной тип монтажа. Транзистор является однополярным (unipolar) с каналом типа «enhancement» (обогащенный). Технология изготовления — SuperFET®.
Комплектация и идентификация
В наборе поставляется 10 транзисторов. Символ производителя — FCPF11N60.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | SuperFET® |
- Цена: 3 090 ₴