Набор из 5 мощных N-MOSFET транзисторов ONSEMI FCP20N60 в корпусе TO220AB.
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 20 А
- Рассеиваемая мощность: 208 Вт
- Корпус: TO220AB (THT монтаж)
- Технология: SuperFET®
- Комплектация: 5 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзисторы рассчитаны на рабочее напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 20 А.
Рассеиваемая мощность
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 208 Вт.
Технология SuperFET®
Компоненты изготовлены по технологии SuperFET®,
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,19 Ом,
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 208 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | SuperFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 630 ₴

