Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB070N65S3, 650В, 44А, D2PAK (3 шт.)
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM153006
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB070N65S3, 650В, 44А, D2PAK (3 шт.)В наличии
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB070N65S3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электрических цепях. Комплект состоит из 3 единиц в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 44 А
- Рассеиваемая мощность: 312 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектация: 3 шт.
Напряжение и сопротивление
Максимальное напряжение сток-исток — 650 В, а напряжение затвор-исток — ±30 В. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 70 мОм.
Комплектация и идентификация
Комплект состоит из 3 транзисторов. Символ производителя ONSEMI — FCB070N65S3, что соответствует маркировке TME. Корпус D2PAK и монтаж SMD определяют способ физического установки компонента.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 312 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 44 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 030 ₴