Транзистор ROHM DTC114ECAHZGT116 — это биполярный NPN-транзистор со встроенными резисторами (BRT) в корпусе SOT23. Товар поставляется комплектом из 150 штук.
- Тип: NPN, биполярный, BRT (со встроенными резисторами)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 200/350 мВт
- Резисторы базы и эмиттер-база: 10 кОм
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор является биполярным NPN-компонентом. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В, а ток коллектора — 0,1 А. Мощность рассеивания равна 200/350 мВт. Коэффициент усиления (hFE) составляет 30.
Встроенные резисторы
Модель DTC114ECAHZGT116 относится к типу BRT (Bias Resistor Transistor) и оснащена встроенными резисторами. Резистор базы и резистор эмиттер-база имеют номинал 10 кОм.
Высокочастотные характеристики
Максимальная рабочая частота составляет 250 МГц. Компонент выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 250 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴

