Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3, 41 Вт, TO251 (набор 20 шт.)
2 770 ₴
- В наличии
- Код: TM152638
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3, 41 Вт, TO251 (набор 20 шт.)В наличии
2 770 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3 — это полевой транзистор. В комплект входит 20 штук в корпусе TO251 для навесного монтажа.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Максимальная мощность рассеивания: 41 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 4900 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 В
- Корпус: TO251, навесной монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 41 Вт и сопротивление в открытом состоянии (Rds) 4900 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 30 В. Согласно данным магазина, максимальный импульсный ток стока равен -22,4 А, а заряд затвора — 13,7 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO251. Тип монтажа: навесной.
Комплектация
В наборе 20 транзисторов Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 41 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4900 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO251 |
Информация для заказа
- Цена: 2 770 ₴