Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH10H028SCT, 100В, 42А, TO220AB (набор 10 шт.)
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM152623
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH10H028SCT, 100В, 42А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 полевых транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated (модель DMNH10H028SCT) в корпусе TO220AB. Монтаж: выводной, имеют максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 42 А.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 42 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 19 мОм
- Корпус: TO220AB, выводной монтаж
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) типа N-MOSFET. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный постоянный ток стока равен 42 А.
Мощность и сопротивление
Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 2,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 19 мОм. Импульсный ток стока может достигать 90 А.
Корпус и комплектация
Компоненты выполнены в корпусе TO220AB. В комплекте поставляется 10 штук. Заряд затвора составляет 25,4 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 42 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴