Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7, 60В, 4.1А, набор 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7 — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 4.1 А. В комплекте поставляется 30 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 4.1 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 38 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 0.66 Вт
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 4.1 А, а импульсный ток может достигать 30 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 38 мОм.

Мощность и корпус

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 0.66 Вт. Компонент выполнен в корпусе U-DFN2020-6 Type E.