Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4800LSD-13, 30 В, 8,4 А, SO8 (набор 30 шт.)
2 350 ₴
- В наличии
- Код: TM152618
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4800LSD-13, 30 В, 8,4 А, SO8 (набор 30 шт.)В наличии
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4800LSD-13 — это полевой транзистор с каналом типа N для поверхностного монтажа. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 8,4 А при мощности рассеивания 1,5 Вт.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 8,4 А
- Максимальная мощность рассеивания: 1,5 Вт
- Корпус: SO8, поверхностный монтаж
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В и максимально допустимое напряжение затвор-исток 25 В. Максимальный ток стока составляет 8,4 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 22 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SO8 для поверхностного монтажа. Максимальная мощность рассеивания составляет 1,5 Вт.
Комплектация
В наборе поставляется 30 транзисторов модели DMG4800LSD-13.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 350 ₴