Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMG1016V-7, SOT563, ESD (набор 50 шт.)

Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMG1016V-7 — это комплементарная пара полевых транзисторов в корпусе SOT563. Комплект состоит из 50 единиц.

• Тип транзистора: полевой (MOSFET)
• Корпус: SOT563, поверхностный монтаж
• Максимальная мощность рассеивания: 0,53 Вт
• Напряжение затвор-исток: 6 В
• Напряжение сток-исток: 20/-20 В
• Ток стока: 0,63/-0,46 А
• Количество в комплекте: 50 шт.

Электрические характеристики

Компонент имеет максимальную мощность рассеивания 0,53 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 6 В. Напряжение сток-исток равно 20 В для N-канала и -20 В для P-канала. Ток стока определен как 0,63 А для N-канала и -0,46 А для P-канала. Сопротивление в состоянии проводности составляет 0,4 Ом для N-канала и 0,7 Ом для P-канала.

Корпус и версия

Транзистор выполнен в корпусе SOT563 с поверхностным типом монтажа. Версия компонента обозначена как ESD. Канал транзистора является обогащенным, а поляризация — униполярной.