Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC059-AQ, 1.2 кВ, 46 А, 278 Вт (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET от DIOTEC SEMICONDUCTOR на технологии SiC. Модель DIW120SIC059-AQ рассчитана на напряжение 1,2 кВ и ток стока 46 А. В комплекте 2 шт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Максимальное напряжение: 1,2 кВ
• Ток стока: 46 А (постоянный), 100 А (импульсный)
• Мощность рассеивания: 278 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 65 мОм
• Корпус: TO247-3, штыревой монтаж
• В комплекте: 2 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением затвор-исток 18 В и напряжением сток-исток 1,2 кВ. Максимальный постоянный ток стока составляет 46 А, а импульсный — 100 А. Это определяет рабочие границы компонента в электрических схемах.

Мощность рассеивания

Максимальная мощность рассеивания равна 278 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 65 мОм.

Технология и монтаж

Компонент изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Корпус TO247-3 обеспечивает штыревой монтаж. Заряд затвора составляет 121 нКл. Компонент предназначен для применения в автомобильной промышленности.