Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC028, 1200 В, 84 А, TO247-3
2 870 ₴
- В наличии
- Код: TM152586
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC028, 1200 В, 84 А, TO247-3В наличии
2 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIW120SIC028 — силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC). Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В, максимальный ток стока — 84 А.
- Технология SiC (карбид кремния)
- Максимальная мощность рассеивания 715 Вт
- Ток стока 84 А
- Сопротивление в открытом состоянии 26 мОм
- Корпус TO247-3, вставной монтаж
Максимальная мощность рассеивания
Максимальная мощность рассеивания составляет 715 Вт.
Электрические параметры
Максимально допустимый ток стока составляет 84 А, а максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.
Технология и монтаж
Технология изготовления — SiC (карбид кремния). Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 26 мОм. Корпус — TO247-3, тип монтажа — вставной.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 715 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 84 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 870 ₴