Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC023-AQ, 100 А, 600 Вт
5 830 ₴
- В наличии
- Код: TM152585
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC023-AQ, 100 А, 600 ВтВ наличии
5 830 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда DIOTEC SEMICONDUCTOR, модель DIW120SIC023-AQ. Это компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Максимальная мощность рассеивания: 600 Вт
- Максимальный ток стока: 100 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 29 мОм
- Корпус: TO247-3
- Тип монтажа: вставной
Высокая мощность рассеивания
Компонент имеет максимальную мощность рассеивания 600 Вт.
Ток стока и импульсные характеристики
Максимально допустимый постоянный ток стока составляет 100 А. Импульсный ток составляет 260 А.
Технология SiC и низкое сопротивление
Технология: SiC (карбид кремния). Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 29 мОм.
Параметры управления затвором
Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 18 В. Заряд затвора: 45 нКл. Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 В. Тип монтажа: вставной. Применение: автомобильная промышленность.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 600 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 29 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 5 830 ₴