Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW065SIC015, 650 В, 100 А, TO247-3

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIW065SIC015 — это полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3. Устройство характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 650 В и током стока 100 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 100 А (300 А в импульсе)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 16 мОм
• Корпус: TO247-3, монтаж выводной

Электрические параметры

Транзистор выдерживает максимально допустимое напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 100 А. Тип монтажа — выводной. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 300 А.

Карбид кремния (SiC)

Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 16 мОм.

Мощность рассеивания и заряд затвора

Максимальная мощность рассеивания составляет 550 Вт. Заряд затвора (Qg) равен 236 нКл, а максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено 15 В.