Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC053, 1200 В, 46 А, TO247-4 — набор 2 шт.

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC053 — это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-4. Максимальное напряжение сток-исток 1200 В, затвор-исток 18 В, максимальный ток стока 46 А. В комплекте поставляется 2 шт.

• Тип транзистора: N-MOSFET на основе SiC
• Максимальное напряжение сток-исток: 1200 В
• Ток стока: 46 А (импульсный до 100 А)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 65 мОм
• Мощность рассеивания: 278 Вт
• Корпус: TO247-4, монтаж вставной
• В комплекте: 2 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 18 В. Максимальный постоянный ток стока — 46 А. Импульсный ток стока может достигать 100 А. Заряд затвора — 121 нКл.

Сопротивление и мощность

Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 65 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 278 Вт. Технология изготовления — SiC (карбид кремния).

Корпус и комплектация

Тип монтажа — вставной. Корпус — TO247-4. В комплекте 2 шт. Присутствует вывод Кельвина.