Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC053-AQ, 1200 В, 46 А

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC053-AQ — это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC). Он рассчитан на ток стока 46 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET на основе SiC
• Максимальное напряжение: 1200 В
• Ток стока: 46 А (импульсный до 100 А)
• Мощность рассеивания: 278 Вт
• Сопротивление открытого канала (Rds): 65 мОм
• Корпус: TO247-4 с выводом Кельвина

Электрические параметры

Прибор выдерживает максимально допустимое напряжение затвор-исток 18 В. Максимально допустимый ток стока составляет 46 А, а импульсный ток может достигать 100 А.

Мощность и сопротивление

Максимальная мощность рассеивания равна 278 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 65 мОм. Использована технология SiC.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO247-4 с выводом Кельвина. Тип монтажа — вставной. Заряд затвора составляет 121 нКл. Назначение: автомобильная промышленность. Канал: обогащенный.