Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF065SIC030, 650В, 74А, TO247-4

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF065SIC030 изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Устройство рассчитано на напряжение 650 В и постоянный ток стока 74 А.

• Технология SiC
• Максимальное напряжение сток-исток 650 В
• Постоянный ток стока 74 А
• Сопротивление в открытом состоянии 30 мОм
• Корпус TO247-4 с выводом Кельвина
• Выводной тип монтажа

Высокое напряжение и ток

Транзистор выдерживает максимальное напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 74 А. Импульсный ток может достигать 105 А.

Технология SiC и низкое сопротивление

Использование карбида кремния (SiC) в качестве полупроводникового материала обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии — 30 мОм. Заряд затвора составляет 145 нКл.

Корпус TO247-4 и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO247-4 с выводом Кельвина. Тип монтажа — выводной. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 18 В.