Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF065SIC020, 650В, 100А, TO247-4
2 850 ₴
- В наличии
- Код: TM152561
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF065SIC020, 650В, 100А, TO247-4В наличии
2 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF065SIC020 изготовлен по технологии SiC. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 100 А.
- Технология SiC
- Корпус TO247-4
- Напряжение сток-исток 650 В
- Ток стока 100 А
- Мощность рассеивания 550 Вт
- Сопротивление Rds 16 мОм
Мощность рассеивания
Максимальная мощность рассеивания составляет 550 Вт. Эта характеристика определяет тепловой режим работы компонента.
Устойчивость к высоким напряжениям
Максимально допустимое напряжение сток-исток равно 650 В. Напряжение затвор-исток ограничено значением 18 В. Такие параметры определяют рабочий диапазон транзистора.
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 16 мОм. Параметр определяет электрическое сопротивление канала транзистора в открытом состоянии. Корпус TO247-4 и штыревой тип монтажа определяют способ установки компонента на плату. Транзистор является полевым, что соответствует его конструктивным особенностям.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 550 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO247-4 |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 850 ₴