Диодный модуль DACO Semiconductor DACSB400120CT, 1,2 кВ, 200 А x2, SiC

Диодный модуль DACO Semiconductor DACSB400120CT — это полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) с двойной структурой и общим катодом.

• Технология SiC
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
• Прямой ток 200 А x2 (двойной диод)
• Максимальное прямое напряжение 1,6 В
• Корпус Twin tower B
• Винтовой тип монтажа

Высокое напряжение и ток

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и прямой ток 200 А x2.

Технология SiC

Максимальное прямое напряжение: 1,6 В.

Конструкция и монтаж

Модуль выполнен в корпусе Twin tower B с механическим и электрическим винтовым монтажом. Двойная структура с общим катодом. Корпус: Twin tower B.