Транзистор DACO Semiconductor DACMI80N1200, SiC MOSFET, 1200 В, 50 А (SOT227B)
4 820 ₴
- В наличии
- Код: TM152426
Транзистор DACO Semiconductor DACMI80N1200, SiC MOSFET, 1200 В, 50 А (SOT227B)В наличии
4 820 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор DACO Semiconductor DACMI80N1200 — это модуль на основе карбид-кремниевой (SiC) технологии в корпусе SOT227B. Устройство имеет максимальное рабочее напряжение 1200 В и ток стока 50 А.
- Ток стока: 50 А
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 34 мОм
- Мощность рассеивания: 460 Вт
- Технология: SiC
- Корпус: SOT227B
Электрические параметры
Модуль работает с максимальным напряжением затвор-исток 20 В и выдерживает ток стока до 50 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 34 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 460 Вт.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии SiC и имеет структуру «одиночный транзистор». Корпус SOT227B предусматривает винтовой монтаж как для электрического, так и для механического крепления. Диапазон рабочих температур составляет от -55 до 150 °C.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 460 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 34 mOm |
| Дополнительные характеристики | |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 4 820 ₴