Транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200, SiC, 125 А, 1,2 кВ
12 990 ₴
- В наличии
- Код: TM152425
Транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200, SiC, 125 А, 1,2 кВВ наличии
12 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Одиночный силовой транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200 в корпусе SOT227B. Устройство изготовлено по технологии SiC и имеет максимальный ток стока 125 А при напряжении 1,2 кВ.
- Ток стока: 125 А
- Напряжение: 1,2 кВ
- Технология: SiC
- Корпус: SOT227B
- Сопротивление Rds: 15 мОм
- Мощность: 980 Вт
Электрические параметры
Максимально допустимый ток стока составляет 125 А, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 15 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 980 Вт.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен как одиночный транзистор в корпусе SOT227B. Механический и электрический монтаж — винтовой. Диапазон рабочих температур составляет от -55 до 150 °C.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 980 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 125 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 15 mOm |
| Дополнительные характеристики | |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 12 990 ₴