Транзистор DACO Semiconductor DACMI160N1200, SiC, 1200 В, 110 А
6 290 ₴
- В наличии
- Код: TM152424
Транзистор DACO Semiconductor DACMI160N1200, SiC, 1200 В, 110 АВ наличии
6 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Одиночный модуль транзистора DACO Semiconductor DACMI160N1200 на основе технологии SiC. Характеризуется максимально допустимым напряжением 1200 В и максимальным током стока 110 А в корпусе SOT227B.
- Ток стока: 110 А
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Мощность рассеивания: 580 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 20 мОм
- Корпус: SOT227B
- Технология: SiC
Электрические параметры
Модуль имеет максимально допустимое напряжение затвор-исток 20 В и сопротивление в открытом состоянии 20 мОм. Максимальная мощность рассеивания составляет 580 Вт.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе SOT227B с винтовым типом монтажа как для механического, так и для электрического крепления. Структура полупроводника — одиночный транзистор с униполярной поляризацией.
Тепловые характеристики
Диапазон рабочих температур составляет от -55 до 150 °C. Максимальная рабочая температура составляет 150 °C.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 580 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 110 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 20 mOm |
| Дополнительные характеристики | |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 6 290 ₴