Транзисторный модуль DACO Semiconductor DACMH160N1200, 1,2 кВ, 110 А, SiC
11 980 ₴
- В наличии
- Код: TM152423
Полупроводниковый модуль DACO Semiconductor DACMH160N1200 — это полумост на основе SiC-транзисторов. Устройство имеет максимальное рабочее напряжение 1,2 кВ и ток стока 110 А.
- Ток стока: 110 А
- Рабочее напряжение: 1,2 кВ
- Мощность рассеивания: 580 Вт
- Технология: SiC
- Корпус: HB9434
- Сопротивление открытого состояния: 20 mOm
Электрические параметры и мощность
Модуль рассчитан на высокое напряжение 1,2 кВ и постоянный ток стока 110 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 580 Вт, что определяет тепловой режим работы. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 20 mOm, а максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.
Конструкция, топология и монтаж
Корпус HB9434 обеспечивает механическое и электрическое крепление прикручиванием. Структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор» в топологии полумоста MOSFET. Модуль является униполярным и изготовлен по технологии SiC.
Тепловые характеристики и диапазон работы
Диапазон рабочих температур модуля составляет от -55 до 150 °C. Максимальная рабочая температура зафиксирована на уровне 150 град.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 580 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 110 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 20 mOm |
| Дополнительные характеристики | |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | HB9434 |
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 |
| Технология | SiC |
- Цена: 11 980 ₴