Диодный модуль DACO Semiconductor CSRI2X25-065P1B, SiC, 650 В, 25 А x2, SOT227B

Диодный модуль DACO Semiconductor CSRI2X25-065P1B — это полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе SOT227B.

• Технология SiC
• Максимальное напряжение 650 В
• Ток прямого тока 25 А x2 (двойная структура)
• Корпус SOT227B
• Импульсный ток до 125 А

Технология SiC

Модуль изготовлен по технологии SiC (карбид кремния).

Электрические параметры

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 650 В и ток проводимости 25 А x2. Максимальный импульсный ток составляет 125 А.

Конструкция и монтаж

Компонент имеет двойную независимую структуру и выполнен в корпусе SOT227B. Монтаж — прикручивание. Максимальное прямое напряжение: 2 В.