Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19538Q2T, 100V, 14.4A, WSON6 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19538Q2T — это униполярный компонент с каналом обогащения, транзисторный компонент. Пакет содержит 40 единиц в корпусе WSON6 размером 2 × 2 мм, что обеспечивает компактное размещение на плате. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 14,4 А
• Рассеиваемая мощность: 20,2 Вт
• Корпус: WSON6, размеры 2 × 2 мм
• Монтаж: SMD
• Технология: NexFET™
• Количество в комплекте: 40 шт.

Мощность и ток

Компонент работает с током стока 14,4 А при напряжении сток-исток 100 В. Рассеиваемая мощность составляет 20,2 Вт, что определяет тепловой режим работы. Сопротивление в открытом состоянии равно 49 мОм.

Управление и заряд затвора

Напряжение затвор-исток может достигать ±20 В, что задает диапазон управляющих сигналов. Компонент изготовлен по технологии NexFET™.